Բարձր ջերմահաղորդականությամբ DPAK (TO-252AA) SiC դիոդ

Կարճ նկարագրություն՝

Փաթեթավորման կառուցվածքը՝ DPAK (TO-252AA)

Ներածություն. YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC դիոդը, որը պատրաստված է սիլիցիումի կարբիդային նյութերից, ունի բարձր ջերմահաղորդականություն և ջերմափոխանակման ուժեղ ունակություն, ինչը նպաստում է հզորության սարքի հզորության խտության բարելավմանը, ուստի այն ավելի հարմար է բարձր ջերմաստիճանային միջավայրում աշխատելու համար: SiC դիոդների բարձր խզման դաշտի ուժը մեծացնում է դիմադրողականության լարումը և նվազեցնում չափերը, իսկ էլեկտրոնային խզման դաշտի բարձր ուժը մեծացնում է կիսահաղորդչային հզորության սարքերի խզման լարումը: Միևնույն ժամանակ, էլեկտրոնային խզման դաշտի ուժի աճի շնորհիվ, խառնուրդների թափանցման խտության մեծացման դեպքում, SiC դիոդային հզորության սարքի դրեյֆային շրջանի լայնաշերտ լայնությունը կարող է կրճատվել, որպեսզի նվազեցվի հզորության սարքի չափը:

Ուղարկեք մեզ էլ. նամակ

Ապրանքի մանրամասներ

Արձագանքման ժամանակի մոնիթորինգ

Չափման միջակայք

Ապրանքի պիտակներ

YUNYI-ի DPAK (TO-252AA) SiC դիոդի առավելությունները.

1. Մրցակցային գին բարձր մակարդակի որակով

2. Բարձր արտադրողականություն՝ կարճ ժամկետով

3. Փոքր չափս, որը օգնում է օպտիմալացնել տպատախտակի տարածքը

4. Կայուն և հուսալի տարբեր բնական միջավայրերում

5. Ինքնամշակված ցածր կորուստով չիպ

Չիպերի արտադրության ընթացակարգերը՝

1. Մեխանիկական տպագրություն (գերճշգրիտ ավտոմատ վաֆլի տպագրություն)

2. Ավտոմատ առաջին փորագրություն (ավտոմատ փորագրման սարքավորումներ, CPK>1.67)

3. Ավտոմատ բևեռականության թեստ (ճշգրիտ բևեռականության թեստ)

4. Ավտոմատ հավաքում (ինքնուրույն մշակված ավտոմատ ճշգրիտ հավաքում)

5. Զոդում (պաշտպանություն ազոտի և ջրածնի խառնուրդով, վակուումային զոդում)

6. Ավտոմատ երկրորդ փորագրություն (ավտոմատ երկրորդ փորագրություն գերմաքուր ջրով)

7. Ավտոմատ սոսնձում (միատարր սոսնձումը և ճշգրիտ հաշվարկը իրականացվում են ավտոմատ ճշգրիտ սոսնձման սարքավորումների միջոցով)

8. Ավտոմատ ջերմային փորձարկում (ջերմային փորձարկիչի կողմից ավտոմատ ընտրություն)

9. Ավտոմատ թեստ (բազմաֆունկցիոնալ թեստավորիչ)

Արտադրանքի պարամետրերը.

Մասի համարը	Փաթեթ	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	ԴՊԱԿ	650	5	60	60	2
ZICRD6650	ԴՊԱԿ	650	6	60	50	2
Z3D06065E	ԴՊԱԿ	650	6	70	3 (0.03 տիպիկ)	1.7 (1.5 տիպիկ)
ZICRD10650CT	ԴՊԱԿ	650	10	60	60	1.7
ZICRD10650	ԴՊԱԿ	650	10	110	100	1.7
ZICRD101200	ԴՊԱԿ	1200	10	110	100	1.8
ZICRD12600	ԴՊԱԿ	600	12	50	150	1.7
ZICRD12650	ԴՊԱԿ	650	12	50	150	1.7
Z3D03065E	ԴՊԱԿ	650	3	46	2 (0.03 բնորոշ)	1.7 (1.4 տիպիկ)
Z3D10065E	ԴՊԱԿ	650	10	115	40 (0.7 տիպիկ)	1.7 (1.45 տիպիկ)
Z4D04120E	ԴՊԱԿ	1200	4	46	200 (20 տիպիկ)	1.8 (1.5 տիպիկ)
Z4D05120E	ԴՊԱԿ	1200	5	46	200 (20 տիպիկ)	1.8 (1.65 տիպիկ)
Z4D02120E	ԴՊԱԿ	1200	2	44	50 (10 տիպիկ)	1.8 (1.5 տիպիկ)
Z4D10120E	ԴՊԱԿ	1200	10	105	200 (30 տիպիկ)	1.8 (1.5 տիպիկ)
Z4D08120E	ԴՊԱԿ	1200	8	64	200 (35 տիպիկ)	1.8 (1.6 տիպիկ)
Z3D10065E2	ԴՊԱԿ	650	10	70 (յուրաքանչյուր ոտքի համար)	8 (0.002 տիպիկ) (յուրաքանչյուր ոտքի համար)	1.7 (1.5 տիպիկ) (յուրաքանչյուր ոտքի համար)