Բարձր ջերմային հաղորդունակության DPAK (TO-252AA) SiC դիոդ

Բարձր ջերմային հաղորդունակությամբ DPAK (TO-252AA) SiC դիոդի ընդգծված պատկեր

Կարճ նկարագրություն:

Փաթեթավորման կառուցվածքը՝ DPAK (TO-252AA)

Ներածություն. YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC դիոդը, որը պատրաստված է սիլիցիումի կարբիդային նյութերից, ունի բարձր ջերմային հաղորդունակություն և ջերմություն փոխանցելու ուժեղ կարողություն, որն ավելի է նպաստում սնուցման սարքի հզորության խտության բարելավմանը, ուստի այն ավելի հարմար է աշխատել բարձր ջերմաստիճանի միջավայրում.SiC դիոդների խզման դաշտի բարձր ուժը մեծացնում է դիմադրության լարումը և նվազեցնում չափը, իսկ էլեկտրոնային խզման դաշտի բարձր ուժը մեծացնում է կիսահաղորդչային էներգիայի սարքերի քայքայման լարումը:Միևնույն ժամանակ, էլեկտրոնների քայքայման դաշտի ուժգնության մեծացման շնորհիվ, կեղտի ներթափանցման խտությունը մեծացնելու դեպքում, SiC դիոդային ուժային սարքի դրեյֆտի շրջանի լայնաշերտությունը կարող է կրճատվել, որպեսզի ուժային սարքի չափը. կարող է կրճատվել:

Նամակ ուղարկեք մեզ

Ապրանքի մանրամասն

Արձագանքման ժամանակի մոնիտորինգ

Չափման միջակայք

Ապրանքի պիտակներ

YUNYI-ի DPAK (TO-252AA) SiC դիոդի արժանիքները.

1. Մրցակցային արժեք բարձր մակարդակի որակով

2. Բարձր արտադրական արդյունավետություն կարճ կապարի ժամանակով

3. Փոքր չափս, որն օգնում է օպտիմալացնել տպատախտակի տարածությունը

4. Կայուն և հուսալի տարբեր բնական միջավայրերում

5. Ինքնուրույն մշակված ցածր կորստի չիպ

Չիփերի արտադրության ընթացակարգերը.

1. Մեխանիկական տպագրություն (գերճշգրիտ ավտոմատ վաֆլի տպագրություն)

2. Ավտոմատ առաջին փորագրում (Ավտոմատ փորագրման սարքավորում, CPK> 1.67)

3. Ավտոմատ բևեռականության թեստ (ճշգրիտ բևեռականության թեստ)

4. Ավտոմատ հավաքում (ինքնուրույն մշակված ավտոմատ ճշգրիտ հավաքում)

5. Զոդում (Պաշտպանություն ազոտի և ջրածնի խառնուրդով վակուումային զոդում)

6. Ավտոմատ երկրորդ փորագրում (ավտոմատ երկրորդ փորագրում գերմաքուր ջրով)

7. Ավտոմատ սոսնձում (միատեսակ սոսնձումը և ճշգրիտ հաշվարկը իրականացվում են ավտոմատ ճշգրիտ սոսնձման սարքավորումների միջոցով)

8. Ավտոմատ ջերմային փորձարկում (Ավտոմատ ընտրություն ջերմային փորձարկիչով)

9. Ավտոմատ թեստ (բազմաֆունկցիոնալ փորձարկիչ)

Արտադրանքի պարամետրեր.

Մասի համարը	Փաթեթ	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRD5650	DPAK	650 թ	5	60	60	2
ZICRD6650	DPAK	650 թ	6	60	50	2
Z3D06065E	DPAK	650 թ	6	70	3 (0.03 բնորոշ)	1.7 (1.5 բնորոշ)
ZICRD10650CT	DPAK	650 թ	10	60	60	1.7
ZICRD10650	DPAK	650 թ	10	110	100	1.7
ZICRD101200	DPAK	1200 թ	10	110	100	1.8
ZICRD12600	DPAK	600 թ	12	50	150	1.7
ZICRD12650	DPAK	650 թ	12	50	150	1.7
Z3D03065E	DPAK	650 թ	3	46	2 (0.03 բնորոշ)	1.7 (1.4 բնորոշ)
Z3D10065E	DPAK	650 թ	10	115	40 (0.7 բնորոշ)	1.7 (1.45 բնորոշ)
Z4D04120E	DPAK	1200 թ	4	46	200 (20 բնորոշ)	1.8 (1.5 բնորոշ)
Z4D05120E	DPAK	1200 թ	5	46	200 (20 բնորոշ)	1.8 (1.65 բնորոշ)
Z4D02120E	DPAK	1200 թ	2	44	50 (10 բնորոշ)	1.8 (1.5 բնորոշ)
Z4D10120E	DPAK	1200 թ	10	105	200 (30 բնորոշ)	1.8 (1.5 բնորոշ)
Z4D08120E	DPAK	1200 թ	8	64	200 (35 բնորոշ)	1.8 (1.6 բնորոշ)
Z3D10065E2	DPAK	650 թ	10	70 (մեկ ոտքի համար)	8 (0,002 բնորոշ) (մեկ ոտքի համար)	1.7 (1.5 բնորոշ) (մեկ ոտքի համար)